中微具有自主知識產權的MOCVD設備Prismo HiT3 ®， 是適用於高品質氮化鋁和高鋁組分資料生長的關鍵設備，反應腔最高溫度可大達1400攝氏度，單爐可生長18片2英寸外延片，並可延伸到4英寸晶片。 中微高溫MOCVD設備Prismo HiT3專為深紫外LED量產而設計，是現時業內紫外LED產能先進的高溫MOCVD設備。
用於深紫外LED外延片量產的MOCVD設備
適用於高溫氮化鋁和深紫外LED生長的關鍵設備
優异均勻性和高效能相結合
適合高晶體質量和高AIN生長速率的新穎腔體設計
創新的即時監控系統
工藝溫度最高可達1400度，具有優异的溫場均勻性和控制穩定性
具有高穩定性、自動化的真空傳送系統，抑制顆粒的產生
介面友好、全自動化的作業系統
優异的工藝重複性，簡化工藝調整需求，提高產品良率
單爐可生長18片2英寸外延晶片，具有較低的生產成本
集成頂蓋升降機构，簡化設備維護，提高設備利用率
業界領先的UVC
