適用於高溫氮化鋁和深紫外LED生長的關鍵設備

優异均勻性和高效能相結合

適合高晶體質量和高AIN生長速率的新穎腔體設計

創新的即時監控系統

工藝溫度最高可達1400度，具有優异的溫場均勻性和控制穩定性

具有高穩定性、自動化的真空傳送系統，抑制顆粒的產生

介面友好、全自動化的作業系統

優异的工藝重複性，簡化工藝調整需求，提高產品良率

單爐可生長18片2英寸外延晶片，具有較低的生產成本

集成頂蓋升降機构，簡化設備維護，提高設備利用率

業界領先的UVC