Primo Twin-Star ® 是中微基於電感耦合（ICP）技術研發的12英寸刻蝕設備。 它可以配寘多達三個具有雙反應臺的刻蝕反應腔和兩個可選的除膠反應腔。 每個刻蝕反應腔可同時加工一片或兩片晶圓並取得高度均勻和一致的結果。 ICP發射天線採用了中微具有自主知識產權的低電容耦合3D線圈設計，可實現對離子濃度和離子能量的高度獨立控制。 設備還採用了可實現多區動態溫控的靜電吸盤，使加工出的集成電路器件的關鍵尺寸達到高度均勻性。 反應腔內部塗有高緻密性、耐电浆侵蝕資料，以獲得更高的工藝重複性和生產率。 Primo Twin-Star ® 適用於各種尺寸和深度的矽結構刻蝕以及邏輯和存儲晶片的多種導體和介質薄膜刻蝕。 此外，該產品和单眼應臺腔體相比還具有明顯的低成本優勢。