Primo HD-RIE ® 是中微於2015年推出的新一代電介質刻蝕產品,是在Primo SSC AD-RIETM設計基礎上實現的具有六個单眼應臺腔體的系統,定位於為中高深寬比刻蝕提供綜合解決方案。 該設備具有以下新特性:更高的同步脈衝射頻功率、高功率高溫靜電託盤、氣體脈衝、多區氣體調節、可冷卻聚焦環工藝組件和更穩定的上電極溫度控制等。 Primo HD-RIE在3D-NAND及DRAM中高深寬比溝槽及深孔刻蝕上表現優異,在一些關鍵制程上已實現量產。
為NAND和DRAM晶片製造提供創新的刻蝕解決方案
具有獨立氣體輸運系統的单眼應臺腔體設計
多區氣體調節以及雙區ESC溫度控制
高功率以及高溫靜電吸盤
氣體脈衝
雙級同步脈衝射頻系統,甚高功率的低頻射頻脈衝以提供高離子轟擊能量
穩定的上電極溫度控制系統
可冷卻聚焦環以防止矽片邊緣刻蝕停止
高上下電極面積比,以應用於中高深寬比刻蝕
高電介質資料刻蝕速率,多手段刻蝕均勻度調節
高粒子轟擊能量,以擴大高深寬比刻蝕工藝視窗
氣體脈衝系統,提供更靈活的工藝控制方案
應對特殊工藝的高溫高功率靜電吸