作為中微第一代電介質刻蝕產品，Primo DRIE ® 是12英寸雙反應臺多反應腔主機系統，可靈活裝置多達三個雙反應臺反應腔（六個反應臺）。 每個反應腔都可以同時加工兩片晶圓。 該設備運用了中微具有自主知識產權的創新技術，包括甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應电浆源、电浆隔離環、以及用於控制腔體內反應環境的先進工藝組件。 Primo DRIE刻蝕設備可用於加工包括氧化矽、氮化矽及低介電係數膜層等所有的電介質資料。 Primo DRIE於2007年發佈之後，由於其較低的生產成本、較高的生產效率和優异的晶片加工效能，已在國際主流晶片生產線上投入量產。