Primo SSC AD-RIE ® 是中微於2013年推出的单眼應臺電介質刻蝕產品,在Primo AD-RIE ® 產品技術和Primo平臺概念的基礎上,通過在一個平臺上集成六個單反應臺以優化產能。 除了可獨立輸運氣體的单眼應臺腔體設計以外,為應對2x納米以下特別是接觸孔刻蝕等關鍵制程的挑戰,該設備還具有以下特性:同步脈衝射頻系統、可冷卻聚焦環工藝組件和甚低壓氣體抽運系統等。 Primo SSC AD-RIE有利於處理多層薄膜刻蝕的微負載問題、極端邊緣形貌問題以及接觸孔刻蝕的終端控制問題。 Primo SSC AD-RIE已在主流客戶16納米晶片生產線上穩定量產。
為26到10納米晶片製造提供創新的刻蝕解決方案
具有獨立氣體輸運系統的单眼應臺腔體設計
多區氣體調節以及雙區靜電吸盤溫度控制
高抽氣率,大容量分子泵
雙級同步脈衝射頻系統(低頻和高頻)
可冷卻聚焦環工藝組件,提升晶圓邊緣效能
高上下電極面積比,以應用於高深寬比結構刻蝕
高電介質資料刻蝕速率,多手段刻蝕均勻度調節
雙級同步脈衝射頻系統
先進氣體抽運系統,以進一步擴大工藝視窗
中高深寬比結構