Primo nanova ® 是中微基於電感耦合（ICP）技術研發的12英寸刻蝕設備。 它可以配寘多達六個刻蝕反應腔和兩個可選的除膠反應腔。 其中刻蝕反應腔採用了軸對稱設計，具有高反應氣體通量。 ICP發射天線採用了中微具有自主知識產權的低電容耦合3D線圈設計，可實現對離子濃度和離子能量的高度獨立控制。 反應腔內部塗有高緻密性、耐电浆侵蝕資料，以獲得更高的工藝重複性和生產率。 設備還採用了多區細分的高動態範圍溫控靜電吸盤，使加工出的集成電路器件的關鍵尺寸達到高度均勻性。 Primo nanova適用於1X納米及以下的邏輯和存儲器件的刻蝕應用。