中微具有自主知识产权的MOCVD设备Prismo HiT3®,是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备,反应腔最高温度可大达1400摄氏度,单炉可生长18片2英寸外延片,并可延伸到4英寸晶片。 中微高温MOCVD设备Prismo HiT3专为深紫外LED量产而设计,是目前业内紫外LED产能先进的高温MOCVD设备。

Prismo HiT3®

用于深紫外LED外延片量产的MOCVD设备

产品特点

适用于高温氮化铝和深紫外 LED生长的关键设备

优异均匀性和高效能相结合

适合高晶体质量和高AIN生长速率的新颖腔体设计

创新的实时监控系统

工艺温度最高可达1400度,具有优异的温场均匀性和控制稳定性

具有高稳定性、自动化的真空传送系统,抑制颗粒的产生

界面友好、全自动化的操作系统

3333333.png

3333333.png

竞争优势

优异的工艺重复性,简化工艺调整需求,提高产品良率

单炉可生长18片2英寸外延晶片,具有较低的生产成本

集成顶盖升降机构,简化设备维护,提高设备利用率

业界领先的UVC LED产能及维护周期