Primo Twin-Star® 是中微基于电感耦合(ICP)技术研发的 12 英寸刻蚀设备。它可以配置多达三个具有双反应台的刻蚀反应腔和两个可选的除胶反应腔。每个刻蚀反应腔可同时加工一片或两片晶圆并取得高度均匀和一致的结果。ICP 发射天线采用了中微具有自主知识产权的低电容耦合 3D 线圈设计,可实现对离子浓度和离子能量的高度独立控制。设备还采用了可实现多区动态温控的静电吸盘,使加工出的集成电路器件的关键尺寸达到高度均匀性。反应腔内部涂有高致密性、耐等离子体侵蚀材料,以获得更高的工艺重复性和生产率。Primo Twin-Star® 适用于各种尺寸和深度的硅结构刻蚀以及逻辑和存储芯片的多种导体和介质薄膜刻蚀。此外,该产品和单反应台腔体相比还具有明显的低成本优势。

Primo Twin-Star®

为功率器件、逻辑芯片和存储芯片等应用提供的高性价比的刻蚀解决方案

产品特点

双反应台腔体设计

低电容耦合3D线圈设计

高抽速大容量涡轮泵

双通道进气

精密的腔体温控和RF窗口温控系统

先进的高致密性、耐等离子体侵蚀涂层工艺多区动态温控静电吸盘

13兆赫或400千赫脉冲偏压系统

可选的集成除胶反应腔


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竞争优势

离子浓度和离子能量独立可控

高排气量和更宽的工艺窗口

优秀的刻蚀均匀性

优异的高深宽比刻蚀性能

高生产效率,低生产成本(CoO)