Primo AD-RIE®是中微第二代电介质刻蚀产品。基于已被认可的Primo D-RIE®刻蚀设备,Primo AD-RIE应用了具有自主知识产权的新设计,配备了可切换双低频射频源,优化了上电极气流分布以及下电极温控系统。为了优化生产效率,Primo AD-RIE系统同样可以灵活地装置多达三个双反应台反应腔(即六个反应台)。Primo AD-RIE具备能够满足新一代芯片器件制造需求的先进性能,目前已被广泛应用于40到14纳米后段制程。
此外,中微基于Primo AD-RIE开发了子系列产品Primo AD-RIE-e和Primo AD-RIE-cr。Primo AD-RIE-e配备了自主研发的四区动态静电吸盘,每一制程步骤可独立进行控温,以达到更高的刻蚀均匀度和刻蚀选择比,目前已应用于5纳米前段和中段的掩膜层刻蚀的开发及量产。Primo AD-RIE-cr配备了拥有自主知识产权涂层技术的抗腐蚀反应腔,可应对电介质材料、金属及金属氧化物材料复杂结构的刻蚀要求。

Primo AD-RIE®

为40到7纳米芯片制造提供创新的刻蚀解决方案

产品特点

双反应台腔体设计具有更高的产出效率

双低频功率切换系统,用于制程分步骤优化

脉冲射频系统选项

多区气体分配调节系统

静电吸盘双区冷却装置

低金属污染工艺组件选项

每一步骤可独立进行控温的四区动态静电吸盘 (Primo AD-RIE-e)

拥有自主知识产权涂层技术的抗腐蚀反应腔 (Primo AD-RIE-cr)

一体整合的除胶能力及表面电荷减除能力 (Primo iDEA®系统)

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竞争优势

双低频率分步骤切换系统,以适用于更广的制程范围(特别是Trench/Via All-in-one制程)

优异的工艺可调性和稳定性,以满足先进工艺标准

高生产效率,低生产成本(CoO)

扩展机型Primo AD-RIE-e, Primo AD-RIE-cr 和 Primo iDEA®,可应用于不同特殊制程