Primo HD-RIE®是中微于2015年推出的新一代电介质刻蚀产品,是在Primo SSC AD-RIETM设计基础上实现的具有六个单反应台腔体的系统,定位于为中高深宽比刻蚀提供综合解决方案。该设备具有以下新特性:更高的同步脉冲射频功率、高功率高温静电托盘、气体脉冲、多区气体调节、可冷却聚焦环工艺组件和更稳定的上电极温度控制等。Primo HD-RIE在3D-NAND及DRAM中高深宽比沟槽及深孔刻蚀上表现优异,在一些关键制程上已实现量产。

Primo HD-RIE®

为NAND和DRAM芯片制造提供创新的刻蚀解决方案

产品特点

具有独立气体输运系统的单反应台腔体设计

多区气体调节以及双区ESC温度控制

高功率以及高温静电吸盘

气体脉冲

双级同步脉冲射频系统,甚高功率的低频射频脉冲以提供高离子轰击能量

稳定的上电极温度控制系统

可冷却聚焦环以防止硅片边缘刻蚀停止

高上下电极面积比,以应用于中高深宽比刻蚀

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竞争优势

高电介质材料刻蚀速率,多手段刻蚀均匀度调节

高粒子轰击能量,以扩大高深宽比刻蚀工艺窗口

气体脉冲系统,提供更灵活的工艺控制方案

应对特殊工艺的高温高功率静电吸盘选项