作为中微第一代电介质刻蚀产品,Primo DRIE®是12英寸双反应台多反应腔主机系统,可灵活装置多达三个双反应台反应腔(六个反应台)。每个反应腔都可以同时加工两片晶圆。该设备运用了中微具有自主知识产权的创新技术,包括甚高频和低频混合射频去耦合反应等离子体源、等离子体隔离环、以及用于控制腔体内反应环境的先进工艺组件。Primo DRIE刻蚀设备可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介电系数膜层等所有的电介质材料。Primo DRIE于2007年发布之后,由于其较低的生产成本、较高的生产效率和优异的芯片加工性能,已在国际主流芯片生产线上投入量产。

Primo D-RIE®

为65到16纳米芯片制造提供创新的刻蚀解决方案

产品特点

双反应台腔体设计具有更高的产出效率

双反应台独立射频系统和刻蚀终端控制系统

拥有自主知识产权的射频匹配系统

拥有自主知识产权的等离子体隔离技术

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竞争优势

高生产效率,低生产成本(CoO)

设备占地面积小

一体整合的除胶能力及表面电荷减除能力(Primo iDEA®系统)