中微具有自主知识产权的MOCVD设备PRISMO HiT3®，是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备，反应腔最高温度可大达1400摄氏度，单炉可生长18片2英寸外延片，并可延伸到4英寸晶片。 中微高温MOCVD设备PRISMO HiT3专为深紫外LED量产而设计，是目前业内紫外LED产能先进的高温MOCVD设备。
用于深紫外LED外延片量产的MOCVD设备
适用于高温氮化铝和深紫外 LED生长的关键设备
优异均匀性和高效能相结合
适合高晶体质量和高AIN生长速率的新颖腔体设计
创新的实时监控系统
工艺温度最高可达1400度，具有优异的温场均匀性和控制稳定性
具有高稳定性、自动化的真空传送系统，抑制颗粒的产生
界面友好、全自动化的操作系统
优异的工艺重复性，简化工艺调整需求，提高产品良率
单炉可生长18片2英寸外延晶片，具有较低的生产成本
集成顶盖升降机构，简化设备维护，提高设备利用率
业界领先的UVC LED产能及维护周期
