作为中微第一代电介质刻蚀产品，Primo DRIE®是12英寸双反应台多反应腔主机系统，可灵活装置多达三个双反应台反应腔（六个反应台）。每个反应腔都可以同时加工两片晶圆。该设备运用了中微具有自主知识产权的创新技术，包括甚高频和低频混合射频去耦合反应等离子体源、等离子体隔离环、以及用于控制腔体内反应环境的先进工艺组件。Primo DRIE刻蚀设备可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介电系数膜层等所有的电介质材料。Primo DRIE于2007年发布之后，由于其较低的生产成本、较高的生产效率和优异的芯片加工性能，已在国际主流芯片生产线上投入量产。