Primo nanova®是中微基于电感耦合（ICP）技术研发的12英寸刻蚀设备。它可以配置多达六个刻蚀反应腔和两个可选的除胶反应腔。其中刻蚀反应腔采用了轴对称设计，具有高反应气体通量。ICP发射天线采用了中微具有自主知识产权的低电容耦合3D线圈设计，可实现对离子浓度和离子能量的高度独立控制。反应腔内部涂有高致密性、耐等离子体侵蚀材料，以获得更高的工艺重复性和生产率。设备还采用了多区细分的高动态范围温控静电吸盘，使加工出的集成电路器件的关键尺寸达到高度均匀性。Primo nanova适用于1X纳米及以下的逻辑和存储器件的刻蚀应用。