Primo nanova ® 是中微基於電感耦合(ICP)技術研發的12英寸刻蝕設備。 它可以配寘多達六個刻蝕反應腔和兩個可選的除膠反應腔。 其中刻蝕反應腔採用了軸對稱設計,具有高反應氣體通量。 ICP發射天線採用了中微具有自主知識產權的低電容耦合3D線圈設計,可實現對離子濃度和離子能量的高度獨立控制。 反應腔內部塗有高緻密性、耐电浆侵蝕資料,以獲得更高的工藝重複性和生產率。 設備還採用了多區細分的高動態範圍溫控靜電吸盤,使加工出的集成電路器件的關鍵尺寸達到高度均勻性。 Primo nanova適用於1X納米及以下的邏輯和存儲器件的刻蝕應用。

Primo nanova®

為1X納米及以下邏輯和存儲器件刻蝕應用提供創新的解決方案

產品特點

低電容耦合3D線圈設計

高抽速大容量渦輪泵

精密的腔體溫控系統

先進的高緻密性、耐电浆侵蝕塗層工藝

多區細分的高動態範圍溫控靜電吸盤

阻抗可調聚焦環設計

切換式雙頻偏壓系統

可選的集成除膠反應腔

可選的Durga ESC

競爭優勢

離子濃度和離子能量獨立可控

高排氣量和更寬的工藝視窗

優秀的刻蝕均勻性

優异的高深寬比刻蝕效能

高生產效率,